Galaxie Team
GALAXIE
Teodor, pondělí 23.10.2017, 4:12:49
2.6.2005 [15:40]

4 Gbit NAND paměť

 

Samsung vyrobil svou první 4Gbit flash paměť pomocí 70nm procesu, který by měl být jednak levnější a také bude dovolovat vytvořit ještě větší NAND moduly, než je tento čtyřgigový. Rychlost zapisování dat je 16 MB/s, což je o 50% více, než v případě 2Gbit modulu. Díky 70nm výrobnímu procesu společnost tvrdí, že vyrobila nejmenší paměťovou buňku o velikosti 0.025µm.

Zdroj: The Inquirer


pošli na vybrali.sme.sk

Diskuze k článku 4 Gbit NAND paměť (0 komentářů)
© Copyright 2003 - 2017 Peter Sedlařík (Galaxie) | RSS | ISSN 1801-2132