Samsung vyrobil svou první 4Gbit flash paměť pomocí 70nm procesu, který by měl být jednak levnější a také bude dovolovat vytvořit ještě větší NAND moduly, než je tento čtyřgigový. Rychlost zapisování dat je 16 MB/s, což je o 50% více, než v případě 2Gbit modulu. Díky 70nm výrobnímu procesu společnost tvrdí, že vyrobila nejmenší paměťovou buňku o velikosti 0.025µm.
Zdroj: The Inquirer