Výrobce paměťových čipů oznámil, že dodal první zásilky typu DDR3 svým vývojářům. Nynější portfolio nejnovějších pamětí čítá dva typy - 800MHz a 1067MHz DDR3 čipy pracující na 1.5V. Na těchto frekvencích se ale technologie nezastaví, třetí generace double data rate modulů má dosahovat až 1600 a možná i více MHz. První vzorky pamětí běžících na frekvenci 800, respektive 1067MHz, by měly být dostupné v druhé polovině následujícího roku, přičemž masová produkce je odhadována na konec roku 2006. V únoru byl Sasungem vyroben první paměťový modul splňující kritéria pro označení DDR3 o velikosti 512 MB, rychlosti 1066MHz a provozním napětím 1.5V. Podle Samsungu se takové paměti budou vyrábět 80nm procesem, pro dnešní DDR a DDR2 typy používá 90nm.
